提髙電源的抗干擾能力大電流半導體器件結(jié)間電容較大，易于引進干擾信號,應(yīng)采取合適的去耦電路。多路并聯(lián)時必須精確布局，嚴格接地，防止地電位浮動引進干擾。

 減小波形失真試驗研究表明，當脈沖電流值較大、頻率較高時，脈沖波形傳輸失真較嚴重。回路的寄生電感是影響傳輸失真的重要因素，應(yīng)從線路布局上以及線路結(jié)構(gòu)上采取措施，使回路寄生電感減到最小，從而使波形失真減到最小，這也有利于提髙電源的工作頻率。

 抑制高頻自激振蕩當脈沖電源頻率達數(shù)十千赫茲的等級后，易出現(xiàn)自激振蕩，這是限制頻率進一步提髙的重要因素，在線路設(shè)計和布局上應(yīng)重點解決這一問題。

 提髙電源效率采用電阻限流的方案熱損較大，使電源效率下降。應(yīng)盡量縮短快速保護的動作時間，即縮短短路時的瞬時過流時間以減小限流電阻數(shù)值，減小熱損，提高效率。國外先進電源采用電感限流，可減小熱損、提高效率，值得借鑒。采取高效 的冷卻系統(tǒng)，減少輔助消耗，也有利于電源總效率的提高。MOSFET的開通和關(guān)斷時間最短，因而在開通和關(guān)斷時電流和電壓的交叉面積最小，管子自身的發(fā)熱最小，又因其 導通阻值最小，開通后管子壓降小，因而此時的管子自身的熱損也小。此兩因素導致 MOSFET的工作效率最髙，因此，為實現(xiàn)電源的髙效率，在器件容量許可的條件下，也 應(yīng)盡最采用MOSFET換流的方案。

當前在中小容量范圍，電解加工用的高頻、窄脈沖電源技術(shù)已較為成熟，有望在近期用于生產(chǎn)；而大容量的電源則還要進行較為系統(tǒng)、深人的應(yīng)用性基礎(chǔ)研究工作，在功率電子學及熱力學領(lǐng)域探求、掌握大電流快速關(guān)斷及開通的規(guī)律，從而進一步解決其工程技術(shù)問題。

加大電流容量加大電流容量可采取多路并聯(lián)或用IGBT換流，此兩方案并不復(fù)雜，但關(guān)鍵是要解決電流加大后帶來的一系列技術(shù)難題，例如上述的f/DS過大，熱損過大，干擾、自激振蕩及波形傳輸失真等，這些問題的解決均有利于電流容量的加大。