脈沖電源技術(shù)是隨功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的發(fā)展而提高，在現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件出現(xiàn)之前，借助于硅二極管的整流或可控硅的關(guān)斷而建立的脈沖電源只能獲得較小的容量，較低的頻率和較寬的正弦波類型的脈沖電流遠(yuǎn)不能滿足脈沖電流電解加工進(jìn)一步發(fā)展的需要。

現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展從根本上改變了這種局面。現(xiàn)代功率半導(dǎo)體辭件的主要特點(diǎn)是容量大，開關(guān)速度快,可以實(shí)現(xiàn)大電流、高電壓和髙頻率。20世紀(jì)80年GTO（可關(guān)斷晶閘管，又稱可關(guān)斷可控硅）發(fā)展到了丨xio4 A，8 kV，高頻GTO工作頻率提高2~3倍達(dá)到3kHz，在相當(dāng)范圍內(nèi)可取代SCR。同期MOSEFT（功率場效應(yīng)管）得到快速發(fā)展，模塊的性能可達(dá)1000V、450A（最大直流連續(xù)電流），其快速性居所有功率半導(dǎo)體器件之首，開關(guān)時(shí)間可小到納秒級,頻率可達(dá)103kHz，通態(tài)電阻可小到故易于并聯(lián),且驅(qū) 動(dòng)電流極小,工作穩(wěn)定、可靠。近年在MOSFET基礎(chǔ)上發(fā)展起來的IGBT（絕緣柵雙極晶體 管）復(fù)合器件亦日臻成熟，其工作頻率較MOSFET低一等級，為10~30kHz，但其電流容量 大為提高，可達(dá)1200A、1600V。20世紀(jì)90年代，功率電子器件還在繼續(xù)向提髙其頻率特性、增大容量、提高電壓和發(fā)展智能化器件方向發(fā)展。

MOSFET、IGBT等現(xiàn)代功率電子器件的上述性能給出了實(shí)現(xiàn)大電流、高頻、窄脈沖電源的現(xiàn)實(shí)性,使髙頻、窄脈沖電流電解 加工新工藝技術(shù)有望實(shí)現(xiàn)工程應(yīng)用。根據(jù)上述功率半導(dǎo)體器件性能的特點(diǎn)，MOSFET換流是1~2kA電解加工脈沖電源的較佳方案，其頻率高、脈寬窄，管耗小，快速 保護(hù)性能好，電源結(jié)構(gòu)較為簡便，成本較低。對數(shù)千安的電源目前已研制出GT0斬波的電源，其性能優(yōu)于同等容量等級的SCR斬波的脈沖電源，但近年IGBT的發(fā)展已給出了用IGBT換流的現(xiàn)實(shí)性,其快速性、經(jīng)濟(jì)性將會(huì)優(yōu)于GTO斬波的脈沖電源。對于 上萬安的脈沖電源仍以SCR方案較為現(xiàn)實(shí)。目前，國內(nèi)外采用功率半導(dǎo)體器件的電解加工脈沖電源均處于工程化階段,尚未定型。